CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。 抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
汽车行驶在各种路面，很容易附着上脏污的东西，刚刚洗完的车开出去不久，车漆上就会又成了灰蒙蒙的一片。而釉表面不粘、不附着的特性，使得漆面即使在恶劣和污染的环境中也能长久保持洁净，而且还可以有效的抵御温度对车漆造成的影响，具有防酸、防碱、防退色、抗氧化、防静电、高保真等功能,封釉可以有效地降低表面的粗糙度，减少漆面和外界的摩擦，从而更好地保护漆面，但封釉本身由于其材质和施工方式的限制无法给漆面提供硬度，很多时候是商家宣传的噱头。