硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。
地坪抛光液的施工方法： 利用拖把、刮刀、软毛刷或滚筒等涂刷均匀，待地面将光亮剂吸收（约20分钟）后，再用软性物擦拭表面或者用抛光机抛光（采用白色羊毛纤维垫），直至光亮度表现出来为止。抛光完成后，即可上人，气温较低时，间隔时间需要适度延长。
什么是釉？查阅资料了解只有瓷器才上釉，釉的概念是陶瓷上面的一个镀层，经过两千度的高温，烧结形成了光泽坚硬的一层膜，实际上是一种从石油副产品中提炼出来的抗氧化剂。特点是防酸、抗腐、耐高温、耐磨、耐水洗、高光泽度等。但是在漆面上是没有可能做出此等效果的，因此又怎么能在汽车在上烧结一层所谓的釉呢？